Intrinsic recombination in dependence on doping concentration and excitation level application to lead chalcogenides

On the base of anisotropic and parabolic band structure recombination rates are calculated for the mixed crystals Pb0.78Sn0.22Te and PbS0.1Se0.9 in dependence on non‐equilibrium carrier concentration δn up to 1020 cm−3 in a wide range of temperatures and doping levels. Degeneracy causes different ch...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Phys. Status Solidi (b) 1983-02, Vol.115 (2), p.415-425
Hauptverfasser:	Mocker, M., Ziep, O.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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