Thermomigration of silicon wafers in a solar furnace
A 5.5 m, 8.7 kW solar furnace was designed and constructed to process silicon wafers by thermomigration. Under the intense heat, 160 W/cm 2, of the solar furnace, a grid of aluminum wires was migrated through the wafer in 5 min. Helium gas was used to cool the wafer and produce a thermal gradient of...
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Veröffentlicht in: | Solar energy 1977, Vol.19 (6), p.715-719 |
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Hauptverfasser: | , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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Zusammenfassung: | A 5.5 m, 8.7 kW solar furnace was designed and constructed to process silicon wafers by thermomigration. Under the intense heat, 160 W/cm
2, of the solar furnace, a grid of aluminum wires was migrated through the wafer in 5 min. Helium gas was used to cool the wafer and produce a thermal gradient of 400°C/cm. The heat transfer and efficiency of the system are discussed.
Se diseñó y construyó un horno solar de 5,5 m y 8,7 kw para procesar obleas de silicio por termomigración. Bajo el intenso calor, 160 w/cm
2, del horno solar fué migrado una rejilla de alambres de aluminio a través de la oblea en cinco minutos. Para enfriar la oblea se usó gas helio y producir un gradiente térmico de 400°C/cm. Se discute la transferencia de calor y la eficiencia del sistema.
On a étudié et construit un four solaire de 5,5 m et 8,7 Kw afin de traiter des structures de silicium par thermomigration. Sous la chaleur intense, 160 watts/cm2, du four solaire, une grille en fils d'aluminium passa à travers la structure en 5 mn. Un gaz d'hélium fut utilisé pour refroidir la structure et produisit un gradian thermique de 400°C/cm. On traite ici du transfert thermique et du rendement du système. |
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ISSN: | 0038-092X 1471-1257 |
DOI: | 10.1016/0038-092X(77)90034-2 |