Avalanche Carrier Multiplication in Multilayer Black Phosphorus and Avalanche Photodetector

A highly sensitive avalanche photodetector (APD) is fabricated by utilizing the avalanche multiplication mechanism in black phosphorus (BP), where a strong avalanche multiplication of electron–hole pairs is observed. Owing to the small bandgap (0.33 eV) of the multilayer BP, the carrier multiplicati...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany) Germany), 2019-09, Vol.15 (38), p.e1805352-n/a
Hauptverfasser:	Jia, Jingyuan, Jeon, Jaeho, Park, Jin‐Hong, Lee, Byoung Hun, Hwang, Euyheon, Lee, Sungjoo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Au nanoparticles avalanche photodetectors black phosphorus Dark current Efficiency Electric fields Electromagnetic absorption Electron avalanche Gold Multilayers Multiplication Nanoparticles Nanotechnology Noise sensitivity Optical communication Phosphorus Photometers plasmonic effects Power consumption Quantum efficiency Semiconductor materials Signal to noise ratio
Online-Zugang:	Volltext
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