Gas phase composition and extraneous deposition in GaAs vapor epitaxy
Continuous, in situ rate measurements were used to evaluate the influence of gas phase supersaturation on the GaAs epitaxial growth kinetics relative to the extent of heterogeneous nucleation and extraneous deposition on fused silica. Using a Ga/AsCl 3/H 2 vapor deposition system, the supersaturatio...
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| Veröffentlicht in: | Journal of crystal growth 1976-01, Vol.35 (1), p.1-9 |
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| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Online-Zugang: | Volltext |
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