Variable optical attenuators based on SOI with 3  μm top silicon layer

In this paper, electro-absorption variable optical attenuators (VOAs) have been designed and fabricated on silicon-on-insulator material with a 3 μm thick top silicon layer. We have simulated the impact of doping distance, doping width, doping depth, doping concentration, and doping length on VOA�...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied optics (2004) 2019-06, Vol.58 (17), p.4630-4636
Hauptverfasser:	Yuan, Pei, Wang, Yue, Wu, Yuanda, An, Junming
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Attenuation Attenuators Doping Power consumption Silicon SOI (semiconductors)
Online-Zugang:	Volltext
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