Memory Switching in Aluminum-Aluminum Oxide-Aluminum Thin Film Devices

In thin (300-1500 A.) Al-Al2O3-Al films, the stable low-frequency (60 Hz) voltage-current characteristics obtained in the high-resistivity state (off-state) depended on the electrode area (A). By increasing the peak-to-peak value of the applied sinusoidal voltage beyond a certain threshold (Vth), sw...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of solid state chemistry 1975-01, Vol.12 (3-4), p.293-293
Hauptverfasser:	Schmidt, Pierre E, Davila, Cruz, Esqueda, Paul, Callarotti, Roberto
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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