Hybrid channel induced forming-free performance in nanocrystalline-Si:H/a-SiNx:H resistive switching memory

The unique forming-free feature of Si-based resistive switching memory plays a key role in the industrialization of next generation memory in the nanoscale. Here we report on a new forming-free nanocrystalline-Si:H (nc-Si:H)/SiNx:H resistive switching memory that can be obtained by deposition of hyd...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Nanotechnology 2019-09, Vol.30 (36), p.365701-365701
Hauptverfasser:	Sun, Yang, Ma, Zhongyuan, Tan, Dingwen, Shen, Zixiao, You, Jiayang, Li, Wei, Xu, Ling, Chen, Kunji, Feng, Duan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	nanocrystalline silicon Si dangling bond SiN resistive switching memory
Online-Zugang:	Volltext
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