Silicon slot fin waveguide on bonded double-SOI for a low-power accumulation modulator fabricated by an anisotropic wet etching technique

We propose a new low VπL, fully-crystalline, accumulation modulator design based on a thin horizontal gate oxide slot fin waveguide, on bonded double Silicon-on-Insulator (SOI). A combination of anisotropic wet etching and the mirrored crystal alignment of the top and bottom SOI layers allows us for...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Optics express 2018-12, Vol.26 (25), p.33180-33191
Hauptverfasser:	Byers, James, Debnath, Kapil, Arimoto, Hideo, Husain, M Khaled, Sotto, Moise, Li, Zuo, Liu, Fayong, Ibukuro, Kouta, Khokhar, Ali, Kiang, Kian, Boden, Stuart A, Thomson, David J, Reed, Graham T, Saito, Shinichi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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