Investigation of the Physical Properties of Plasma Enhanced Atomic Layer Deposited Silicon Nitride as Etch Stopper

Correlations between physical properties linking film quality with wet etch rate (WER), one of the leading figures of merit, in plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) grown silicon nitride (SiN x ) films remain largely unresearched. Achieving a low WER of a SiN x film is especially signific...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ACS applied materials & interfaces 2018-12, Vol.10 (51), p.44825-44833
Hauptverfasser:	Kim, Harrison Sejoon, Meng, Xin, Kim, Si Joon, Lucero, Antonio T, Cheng, Lanxia, Byun, Young-Chul, Lee, Joy S, Hwang, Su Min, Kondusamy, Aswin L. N, Wallace, Robert M, Goodman, Gary, Wan, Alan S, Telgenhoff, Michael, Hwang, Byung Keun, Kim, Jiyoung
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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