Field-Effect Device Using Quasi-Two-Dimensional Electron Gas in Mass-Producible Atomic-Layer-Deposited Al2O3/TiO2 Ultrathin (<10 nm) Film Heterostructures

We report the field-effect transistors using quasi-two-dimensional electron gas generated at an ultrathin (∼10 nm) Al2O3/TiO2 heterostructure interface grown via atomic layer deposition (ALD) on a SiO2/Si substrate without using a single crystal substrate. The 2DEG at the Al2O3/TiO2 interface origin...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ACS nano 2018-10, Vol.12 (10), p.10403-10409
Hauptverfasser:	Seok, Tae Jun, Liu, Yuhang, Jung, Hae Jun, Kim, Soo Bin, Kim, Dae Hyun, Kim, Sung Min, Jang, Jae Hyuck, Cho, Deok-Yong, Lee, Sang Woon, Park, Tae Joo
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!