Solution-Processable, Thin, and High‑κ Dielectric Polyurea Gate Insulator with Strong Hydrogen Bonding for Low-Voltage Organic Thin-Film Transistors

We developed a solution-processable, thin, and high-dielectric polyurea-based organic gate insulator for low-voltage operation and high performance of organic thin-film transistors (OTFTs). A 60 nm-thick polyurea thin film exhibited a high dielectric constant of 5.82 and excellent electrical insulat...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ACS applied materials & interfaces 2018-09, Vol.10 (38), p.32462-32470
Hauptverfasser:	Yoo, Sungmi, Kim, Dong-Gyun, Ha, Taewook, Chan Won, Jong, Jang, Kwang-Suk, Kim, Yun Ho
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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