The graphene/n-Ge(110) interface: structure, doping, and electronic properties

The implementation of graphene in semiconducting technology requires precise knowledge about the graphene-semiconductor interface. In our work the structure and electronic properties of the graphene/n-Ge(110) interface are investigated on the local (nm) and macro (from μm to mm) scales via a combina...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Nanoscale 2018-01, Vol.10 (13), p.6088-6098
Hauptverfasser: Tesch, Julia, Paschke, Fabian, Fonin, Mikhail, Wietstruk, Marko, Böttcher, Stefan, Koch, Roland J, Bostwick, Aaron, Jozwiak, Chris, Rotenberg, Eli, Makarova, Anna, Paulus, Beate, Voloshina, Elena, Dedkov, Yuriy
Format: Artikel
Sprache:eng
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