The graphene/n-Ge(110) interface: structure, doping, and electronic properties
The implementation of graphene in semiconducting technology requires precise knowledge about the graphene-semiconductor interface. In our work the structure and electronic properties of the graphene/n-Ge(110) interface are investigated on the local (nm) and macro (from μm to mm) scales via a combina...
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Veröffentlicht in: | Nanoscale 2018-01, Vol.10 (13), p.6088-6098 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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