Wedge-shaped semiconductor nanowall arrays with excellent light management

In this Letter, a light management structure composed of wedge-shaped semiconductor nanowall arrays is introduced. Theoretical investigation based on gallium arsenide (GaAs) indicates that a 1000 nm high array (wall base width/array periodicity: 500 nm) with an effective thickness of only 500 nm can...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Optics letters 2017-10, Vol.42 (19), p.3928-3931
Hauptverfasser:	Chen, Xinyu, Wang, Jiang, Qin, Shengchun, Chen, Qiang, Li, Yali, Li, Junshuai, He, Deyan
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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