Ultrathin flexible memory devices based on organic ferroelectric transistors
Here, we demonstrate ultrathin, flexible nonvolatile memory devices with excellent durability under compressive strain. Ferroelectric-gate field-effect transistors (FeFETs) employing organic semiconductor and polymer ferroelectric layers are fabricated on a 1-µm-thick plastic film substrate. The FeF...
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Veröffentlicht in: | Japanese Journal of Applied Physics 2016-10, Vol.55 (10S), p.10-10TA04 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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