Ultrathin flexible memory devices based on organic ferroelectric transistors

Here, we demonstrate ultrathin, flexible nonvolatile memory devices with excellent durability under compressive strain. Ferroelectric-gate field-effect transistors (FeFETs) employing organic semiconductor and polymer ferroelectric layers are fabricated on a 1-µm-thick plastic film substrate. The FeF...

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Veröffentlicht in:Japanese Journal of Applied Physics 2016-10, Vol.55 (10S), p.10-10TA04
Hauptverfasser: Sugano, Ryo, Hirai, Yoshinori, Tashiro, Tomoya, Sekine, Tomohito, Fukuda, Kenjiro, Kumaki, Daisuke, Domingues dos Santos, Fabrice, Miyabo, Atsushi, Tokito, Shizuo
Format: Artikel
Sprache:eng
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