Improving source/drain contact resistance of amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors using an n super(+)-ZnO buffer layer

To avoid high temperature annealing in improving the source/drain (S/D) resistance (R sub(DS)) of amorphous indium-gallium-zinc-oxide ([alpha]-IGZO) thin-film transistors (TFTs) for flexible electronics, a simple and efficient technique using a sputtering-deposited n super(+)-ZnO buffer layer (BL) s...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Japanese Journal of Applied Physics 2016-06, Vol.55 (6), p.06GG05-06GG05
Hauptverfasser:	Hung, Chien-Hsiung, Wang, Shui-Jinn, Lin, Chieh, Wu, Chien-Hung, Chen, Yen-Han, Liu, Pang-Yi, Tu, Yung-Chun, Lin, Tseng-Hsing
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Buffer layers Chambers Channels Drains Electrodes Electronics Semiconductor devices Thin film transistors
Online-Zugang:	Volltext
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