Hot Electron Transistor with van der Waals Base-Collector Heterojunction and High-Performance GaN Emitter

Single layer graphene is an ideal material for the base layer of hot electron transistors (HETs) for potential terahertz (THz) applications. The ultrathin body and exceptionally long mean free path maximizes the probability for ballistic transport across the base of the HET. We demonstrate for the f...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Nano letters 2017-05, Vol.17 (5), p.3089-3096
Hauptverfasser:	Zubair, Ahmad, Nourbakhsh, Amirhasan, Hong, Jin-Yong, Qi, Meng, Song, Yi, Jena, Debdeep, Kong, Jing, Dresselhaus, Mildred, Palacios, Tomás
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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