Reliable and Low-Power Multilevel Resistive Switching in TiO2 Nanorod Arrays Structured with a TiOx Seed Layer

The electrical performance of TiO2 nanorod array (NRA)-based resistive switching memory devices is examined in this paper. The formation of a seed layer on the fluorine-doped tin oxide (FTO) glass substrate after treatment in TiCl4 solution, before the growth of TiO2 NRAs on the FTO substrate via a...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ACS applied materials & interfaces 2017-02, Vol.9 (5), p.4808-4817
Hauptverfasser:	Xiao, Ming, Musselman, Kevin P, Duley, Walter W, Zhou, Y Norman
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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