Electronic transport in Si:P [delta]-doped wires

Abstract Despite the importance of Si:P [delta]-doped wires for modern nanoelectronics, there are currently no computational models of electron transport in these devices. In this paper we present a nonequilibrium Green's function model for electronic transport in a [delta]-doped wire, which is...

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Veröffentlicht in:Physical review. B 2015-12, Vol.92 (23)
Hauptverfasser: Smith, J S, Drumm, D W, Budi, A, Vaitkus, J A, Cole, J H, Russo, S P
Format: Artikel
Sprache:eng
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