Electronic transport in Si:P [delta]-doped wires
Abstract Despite the importance of Si:P [delta]-doped wires for modern nanoelectronics, there are currently no computational models of electron transport in these devices. In this paper we present a nonequilibrium Green's function model for electronic transport in a [delta]-doped wire, which is...
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Veröffentlicht in: | Physical review. B 2015-12, Vol.92 (23) |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
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