Heteroepitaxial Writing of Silicon-on-Sapphire Nanowires

The heteroepitaxial growth of crystal silicon thin films on sapphire, usually referred to as SoS, has been a key technology for high-speed mixed-signal integrated circuits and processors. Here, we report a novel nanoscale SoS heteroepitaxial growth that resembles the in-plane writing of self-aligned...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Nano letters 2016-12, Vol.16 (12), p.7317-7324
Hauptverfasser:	Xu, Mingkun, Xue, Zhaoguo, Wang, Jimmy, Zhao, Yaolong, Duan, Yao, Zhu, Guangyao, Yu, Linwei, Xu, Jun, Wang, Junzhuan, Shi, Yi, Chen, Kunji, Roca i Cabarrocas, Pere
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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