Large-Area Dry Transfer of Single-Crystalline Epitaxial Bismuth Thin Films

We report the first direct dry transfer of a single-crystalline thin film grown by molecular beam epitaxy. A double cantilever beam fracture technique was used to transfer epitaxial bismuth thin films grown on silicon (111) to silicon strips coated with epoxy. The transferred bismuth films retained...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Nano letters 2016-11, Vol.16 (11), p.6931-6938
Hauptverfasser: Walker, Emily S, Na, Seung Ryul, Jung, Daehwan, March, Stephen D, Kim, Joon-Seok, Trivedi, Tanuj, Li, Wei, Tao, Li, Lee, Minjoo L, Liechti, Kenneth M, Akinwande, Deji, Bank, Seth R
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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