Modelling of OPNMR phenomena using photon energy-dependent 〈Sz〉 in GaAs and InP

[Display omitted] •We have modeled OPNMR phenomena in two single-crystal semiconductors: GaAs, InP.•The model adds a revised expression for 〈Sz〉 to our earlier “penetration depth” model.•The photon energy-dependent 〈Sz〉 and penetration depth models both InP and GaAs well.•Theoretical optical transit...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of magnetic resonance (1997) 2016-12, Vol.273, p.19-26
Hauptverfasser:	Wheeler, Dustin D., Willmering, Matthew M., Sesti, Erika L., Pan, Xingyuan, Saha, Dipta, Stanton, Christopher J., Hayes, Sophia E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	31P NMR 69Ga NMR Electron polarization GaAs InP Optical pumping Optically-pumped NMR (OPNMR) Semiconductor
Online-Zugang:	Volltext
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