AlGaN/SiC Heterojunction Ultraviolet Photodiodes

We report on improvement in the deep ultraviolet (DUV) photoresponse of SiC based detectors through the development of n- AlxGa1-xN / i-p SiC heterojunction photodiodes. Fabricated photodiodes have high external quantum efficiency (EQE), greater than 60%, over a wide spectral range from 215-255 nm t...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Materials Science Forum 2016-05, Vol.858, p.1206-1209
Hauptverfasser:	Zhou, Q., Vanmil, Brenda L., Wraback, Michael, Reed, Meredith L., Chung, Roy B., Enck, Ryan W., Sampath, Anand V., Garrett, Gregory A., Campbell, Joe C., Chen, Yoajia, Shen, H.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Carriers Diodes Heterojunctions Photodiodes Silicon carbide Spectra Ultraviolet Wavelengths
Online-Zugang:	Volltext
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