Graphene-based half-metal and spin-semiconductor for spintronic applications
In this letter we propose a strategy to make graphene become a half-metal or spin-semiconductor by combining the magnetic proximity effects and sublattice symmetry breaking in graphone/graphene and graphone/graphene/BN heterostructures. Exchange interactions lift the spin degeneracy and sublattice s...
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Veröffentlicht in: | Journal of physics. Condensed matter 2016-03, Vol.28 (12), p.126004-126004 |
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Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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