Graphene-based half-metal and spin-semiconductor for spintronic applications

In this letter we propose a strategy to make graphene become a half-metal or spin-semiconductor by combining the magnetic proximity effects and sublattice symmetry breaking in graphone/graphene and graphone/graphene/BN heterostructures. Exchange interactions lift the spin degeneracy and sublattice s...

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Veröffentlicht in:Journal of physics. Condensed matter 2016-03, Vol.28 (12), p.126004-126004
Hauptverfasser: Qi, Jingshan, Chen, Xiaofang, Hu, Kaige, Feng, Ji
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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