In Situ Chemical Modification of Schottky Barrier in Solution-Processed Zinc Tin Oxide Diode

Here we present a novel in situ chemical modification process to form vertical Schottky diodes using palladium (Pd) rectifying bottom contacts, amorphous zinc tin oxide (Zn–Sn–O) semiconductor made via acetate-based solution process, and molybdenum top ohmic contacts. Using X-ray photoelectron spect...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	ACS applied materials & interfaces 2016-09, Vol.8 (36), p.23801-23809
Hauptverfasser:	Son, Youngbae, Li, Jiabo, Peterson, Rebecca L
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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