Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H–SiC

We have investigated the electron affinity of Si-doped AlN films（N_（Si）= 1.0 × 10~（18）–1.0 × 10_（19）cm~（-3）） with thicknesses of 50, 200, and 400 nm, synthesized by metalorganic chemical vapor deposition（MOCVD） under low pressure on the ntype（001）6H–SiC substrates. The positive and small electron af...

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Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Chinese physics B 2016-05, Vol.25 (5), p.369-372
1. Verfasser:	梁锋 陈平 赵德刚 江德生 赵志娟 刘宗顺 朱建军 杨静 刘炜 何晓光 李晓静 李翔 刘双韬 杨辉 张立群 刘建平 张源涛 杜国同
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	AlN薄膜 Aluminum nitride Contamination Electron affinity Low pressure Metalorganic chemical vapor deposition Photoelectron spectroscopy SiC Silicon substrates Si掺杂 X-ray photoelectron spectroscopy X射线光电子能谱 电子亲和力 紫外光电子能谱 金属有机化学气相沉积
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