Defect passivation induced strong photoluminescence enhancement of rhombic monolayer MoS sub(2)
Growing high quality monolayer MoS sub(2) with strong photoluminescence (PL) is essential to produce light-emitting devices on the atomic scale. In this study we show that rhombic monolayer MoS sub(2) with PL intensity 8 times stronger than those of chemical vapour deposition (CVD)-grown triangular...
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Veröffentlicht in: | Physical chemistry chemical physics : PCCP 2016-05, Vol.18 (20), p.14001-14006 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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