Defect passivation induced strong photoluminescence enhancement of rhombic monolayer MoS sub(2)

Growing high quality monolayer MoS sub(2) with strong photoluminescence (PL) is essential to produce light-emitting devices on the atomic scale. In this study we show that rhombic monolayer MoS sub(2) with PL intensity 8 times stronger than those of chemical vapour deposition (CVD)-grown triangular...

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Veröffentlicht in:Physical chemistry chemical physics : PCCP 2016-05, Vol.18 (20), p.14001-14006
Hauptverfasser: Su, Weitao, Jin, Long, Qu, Xiaodan, Huo, Dexuan, Yang, Li
Format: Artikel
Sprache:eng
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