A Disilene Base Adduct with a Dative Si-Si Single Bond

An experimental and theoretical study of the base‐stabilized disilene 1 is reported, which forms at low temperatures in the disproportionation reaction of Si2Cl6 or neo‐Si5Cl12 with equimolar amounts of NMe2Et. Single‐crystal X‐ray diffraction and quantum‐chemical bonding analysis disclose an unprec...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Angewandte Chemie 2016-01, Vol.128 (5), p.1814-1818
Hauptverfasser:	Schweizer, Julia I., Scheibel, Markus G., Diefenbach, Martin, Neumeyer, Felix, Würtele, Christian, Kulminskaya, Natalia, Linser, Rasmus, Auner, Norbert, Schneider, Sven, Holthausen, Max C.
Format:	Artikel
Sprache:	eng ; ger
Schlagworte:	Amines Anions Bindungsanalyse Bonding Chemical bonds Chemistry Crystal structure Crystals Dative Bindungen Diffraction Disilene Disproportionation Formations Quantum chemistry Röntgenbeugung Silicon Silylene Single crystals Stabilization X-ray diffraction X-rays
Online-Zugang:	Volltext
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