W-band GaN MMIC PA with 257 mW output power at 86.5 GHz

A three-stage W-band GaN monolithic microwave integrated circuit power amplifier （MMIC PA） is reported. In order to manage coupling effects between all the parts of the W-band MMIC, all matching and bias networks have been first optimized using circuit simulating software and then systematically sim...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of semiconductors 2015-08, Vol.36 (8), p.171-173
1. Verfasser:	徐鹏 宋旭波 吕元杰 王元刚 敦少博 尹甲运 房玉龙 顾国栋 冯志红 蔡树军
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Bias Drains Gallium nitrides GaN GHz MMIC MMIC (circuits) Noise levels Semiconductors Simulation Three dimensional W波段 单片微波集成电路 电路仿真软件 输出功率
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