InAs/GaSb core-shell nanowires grown on Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition
We report the growth of InAs/GaSb core-shell heterostructure nanowires with smooth sidewalls on Si substrates using metal-organic chemical vapor deposition with no assistance from foreign catalysts. Sb adatoms were observed to strongly influence the morphology of the GaSb shell. In particular, Ga dr...
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Veröffentlicht in: | Nanotechnology 2016-07, Vol.27 (27), p.275601-275601 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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