InAs/GaSb core-shell nanowires grown on Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition

We report the growth of InAs/GaSb core-shell heterostructure nanowires with smooth sidewalls on Si substrates using metal-organic chemical vapor deposition with no assistance from foreign catalysts. Sb adatoms were observed to strongly influence the morphology of the GaSb shell. In particular, Ga dr...

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Veröffentlicht in:Nanotechnology 2016-07, Vol.27 (27), p.275601-275601
Hauptverfasser: Ji, Xianghai, Yang, Xiaoguang, Du, Wenna, Pan, Huayong, Luo, Shuai, Ji, Haiming, Xu, H Q, Yang, Tao
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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