Phonon contribution to nonionizing energy loss in silicon detectors

Nonionizing energy loss(NIEL) has been applied to a number of studies concerning displacement damage effects in materials and devices. However, most studies consider only the contribution of displacement damage effects,neglecting the contribution from phonons. In this paper, a NIEL model, which cons...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Chinese physics C 2015-06, Vol.39 (6), p.81-84
1. Verfasser: 李荣华 李占奎 杨磊 李冬梅 李海霞 王柱生 陈翠红 谭继廉 刘凤琼 戎欣娟 王秀华 李春艳 祖凯铃 卢子伟
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!