Carrier behavior of HgTe under high pressure revealed by Hall effect measurement
We investigate the carrier behavior of HgTe under high pressures up to 23 GPa using in situ Hall effect measurements. As the phase transitions from zinc blende to cinnabar, then to rock salt, and finally to Cmcm occur, all the parameters change discontinuously. The conductivity variation under compr...
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| Veröffentlicht in: | Chinese physics B 2015-11, Vol.24 (11), p.363-366 |
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| Format: | Artikel |
| Sprache: | eng |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext |
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