Strain Engineering for Transition Metal Dichalcogenides Based Field Effect Transistors

Using electrical characteristics from three-terminal field-effect transistors (FETs), we demonstrate substantial strain induced band gap tunability in transition metal dichalcogenides (TMDs) in line with theoretical predictions and optical experiments. Devices were fabricated on flexible substrates,...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ACS nano 2016-04, Vol.10 (4), p.4712-4718
Hauptverfasser:	Shen, Tingting, Penumatcha, Ashish V, Appenzeller, Joerg
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!