Bonding of Al to Al2O3 via Al–Cu eutectic method
The Al oxidation layer in the manufactures of direct aluminum bonded Al2O3 substrates (DAB) has been a long-term trouble for industries. In this work we propose a new method for fabricating the DAB substrates with no requirement of high vacuum or active O2-getters. The new method comprises two stage...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Materials & design 2015-12, Vol.87, p.619-624 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!