Transistor-Less Spin Torque Transfer Magnetic Random Access Memory Cell Design

Current mainstream spin torque transfer magnetic random accessible memory (STT-MRAM) architecture requires an isolation transistor in each MRAM cell. Processing flow for magnetic tunneling junctions is intrinsically capable of multilayer 3-D integration. However, there is no mature multilayer 3-D CM...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on magnetics 2015-11, Vol.51 (11), p.1-4
1. Verfasser:	Wang, Weizhong
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	3 Dimensional Architecture Arrays CMOS Feasibility Magnetic Random Accessible Memories Magnetic tunneling Magnetism Magnetoresistive random access memory Microprocessors Multilayers Programming Spin Torque Transfer Three dimensional Transistors Writing
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