Diffusion barrier property of MnSixOy layer formed by chemical vapor deposition for Cu advanced interconnect application

An amorphous manganese oxide layers formed by chemical vapor deposition have been studied as a copper diffusion barrier. The thermal stability of the barrier layer was assessed by annealing Cu/MnSixOy/SiO2/Si samples at 400°C for various times up to 10h. Transmission electron microscopy, energy-disp...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Thin solid films 2015-04, Vol.580, p.56-60
Hauptverfasser:	Nguyen, Mai Phuong, Sutou, Yuji, Koike, Junichi
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Annealing ANNEALING PROCESSES Barriers CHEMICAL VAPOR DEPOSITION Copper Cu diffusion barrier DEPOSITION DIFFUSION DIFFUSION BARRIERS Interconnect application Manganese oxide MICA Secondary ion mass spectrometry SILICON DIOXIDE THERMAL STABILITY VAPOR DEPOSITION
Online-Zugang:	Volltext
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