Scanning tunneling microscopy with InAs nanowire tips

Indium arsenide nanowires grown by selective-area vapor phase epitaxy are used as tips for scanning tunneling microscopy (STM). The STM tips are realized by positioning the wires manually on the corner of a double cleaved gallium arsenide wafer with sub- mu m precision and contacting them lithograph...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2012-01, Vol.101 (24)
Hauptverfasser:	Flohr, Kilian, Sladek, Kamil, Yusuf Guenel, H, Ion Lepsa, Mihail, Hardtdegen, Hilde, Liebmann, Marcus, Schaepers, Thomas, Morgenstern, Markus
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Gallium arsenide Indium arsenides Nanomaterials Nanostructure Nanowires Scanning tunneling microscopy Tips Wire
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!