Palladium/silicon nanowire Schottky barrier-based hydrogen sensors
This work presents the design, fabrication, and characterization of a hydrogen sensor based on a palladium/nanowire Schottky barrier field-effect transistor that operates at room temperature. The fabricated sensor consists of boron-doped silicon nanowire arrays that are contact printed on top of a S...
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Veröffentlicht in: | Sensors and actuators. B, Chemical Chemical, 2010-03, Vol.145 (1), p.232-238 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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