GaN hexagonal pyramids formed by a photo-assisted chemical etching method
A series of experiments were conducted to systematically study the effects of etching conditions on GaN by a con-venient photo-assisted chemical (PAC) etching method. The solution concentration has an evident influence on the surface morphology of GaN and the optimal solution concentrations for GaN...
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Veröffentlicht in: | Chinese physics B 2014-05, Vol.23 (5), p.588-593 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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