Frequency and voltage-dependent electrical and dielectric properties of Al/Co-doped PVA/p-Si structures at room temperature
In order to investigate of cobalt-doped interracial polyvinyl alcohol (PVA) layer and interface trap (Dit) effects, A1/p- Si Schottky barrier diodes (SBDs) are fabricated, and their electrical and dielectric properties are investigated at room temperature. The forward and reverse admittance measurem...
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Veröffentlicht in: | Chinese physics B 2014-04, Vol.23 (4), p.545-550 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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