A novel superjunction MOSFET with improved ruggedness under unclamped inductive switching

The ruggedness of a superjunction metal-oxide semiconductor field-effect transistor （MOSFET） under unclamped inductive switching conditions is improved by optimizing the avalanche current path. Inserting a P-island with relatively high doping concentration into the P-column, the avalanche breakdown...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Chinese physics B 2012-04, Vol.21 (4), p.612-618, Article 048502
1. Verfasser:	任敏李泽宏邓光敏张灵霞张蒙刘小龙谢加雄张波
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Avalanches Computer simulation Mathematical models Metal oxide semiconductors MOSFET MOSFETs Ruggedness Semiconductors Switching Two dimensional 寄生晶体管感应开关掺杂浓度沟槽设计耐用性金属氧化物半导体场效应晶体管钳位
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