Thermal Doping by Vacancy Formation in Copper Sulfide Nanocrystal Arrays
A new approach for doping of Cu2S nanocrystal arrays using thermal treatment at moderate temperatures (T < 400 K) is presented. This thermal doping process yields conductance enhancement by 6 orders of magnitude. Local probe measurements prove this doping is an intraparticle effect and, moreover,...
Gespeichert in:
Veröffentlicht in: | Nano letters 2014-03, Vol.14 (3), p.1349-1353 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!