Thermal Doping by Vacancy Formation in Copper Sulfide Nanocrystal Arrays

A new approach for doping of Cu2S nanocrystal arrays using thermal treatment at moderate temperatures (T < 400 K) is presented. This thermal doping process yields conductance enhancement by 6 orders of magnitude. Local probe measurements prove this doping is an intraparticle effect and, moreover,...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Nano letters 2014-03, Vol.14 (3), p.1349-1353
Hauptverfasser: Bekenstein, Y, Vinokurov, K, Keren-Zur, S, Hadar, I, Schilt, Y, Raviv, U, Millo, O, Banin, U
Format: Artikel
Sprache:eng
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