P-type double gate junctionless tunnel field effect transistor

We have investigated the 20 nm p-type double gate junctionless tunnel field effect transistor （P-DGJLTFET） and the impact of variation of different device parameters on the performance parameters of the P-DGJLTFET is discussed. We achieved excellent results of different performance parameters by tak...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of semiconductors 2014, Vol.35 (1), p.27-33
Hauptverfasser:	Akram, M. W., Ghosh, Bahniman, Bal, Punyasloka, Mondal, Partha
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Devices Field effect transistors Gates Semiconductor devices Semiconductors Titanium dioxide Tunnels (transportation) Voltage 二氧化钛 参数变化 双门 场效应晶体管 性能参数 设备参数 隧道
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