Semiconductor–Insulator–Semiconductor Diode Consisting of Monolayer MoS2, h‑BN, and GaN Heterostructure

We propose a semiconductor–insulator–semiconductor (SIS) heterojunction diode consisting of monolayer (1-L) MoS2, hexagonal boron nitride (h-BN), and epitaxial p-GaN that can be applied to high-performance nanoscale optoelectronics. The layered materials of 1-L MoS2 and h-BN, grown by chemical vapor...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ACS nano 2015-10, Vol.9 (10), p.10032-10038
Hauptverfasser:	Jeong, Hyun, Bang, Seungho, Oh, Hye Min, Jeong, Hyeon Jun, An, Sung-Jin, Han, Gang Hee, Kim, Hyun, Kim, Ki Kang, Park, Jin Cheol, Lee, Young Hee, Lerondel, Gilles, Jeong, Mun Seok
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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