Mutual alloying of XAs (X=Ga, In, Al) materials: Tuning the optoelectronic and thermodynamic properties for solar energy applications
[Display omitted] •Mutual alloying of XAs (X=Ga, In, Al) materials is investigated with DFT.•XAs materials are suitable for optoelectronic and solar energy applications.•Energy gap of Ga1−xAlxAs and In1−xAlxAs was found to be increased with x.•Mutual alloying with different concentrations is useful...
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Veröffentlicht in: | Solar energy 2014-02, Vol.100, p.1-8 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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