Excitation dependent photoluminescence study of Si-rich a -SiNx:H thin films

We report photoluminescence (PL) investigations on Si-rich amorphous hydrogenated silicon nitride (a-SiNx:H) thin films of different compositions, using three different excitation lasers, viz., 325 nm, 410 nm, and 532 nm. The as-deposited films contain amorphous Si quantum dots (QDs) as evidenced in...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of applied physics 2012-12, Vol.112 (12)
Hauptverfasser:	Kumar Bommali, Ravi, Preet Singh, Sarab, Rai, Sanjay, Mishra, P., Sekhar, B. R., Vijaya Prakash, G., Srivastava, P.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Defect annealing Excitation Luminescence Photoluminescence Quantum confinement Spectra Thin films
Online-Zugang:	Volltext
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