Effects of TMAH Treatment on Device Performance of Normally Off hbox Al 2 hbox O 3 / hbox GaN MOSFET

Normally off hbox Al 2 hbox O 3 hbox / hbox GaN MOSFETs are fabricated by utilizing a simple tetramethylammonium hydroxide (TMAH) treatment as a postgate-recess process. The TMAH-treated device with a gate length of 2.5 mu hbox m exhibited excellent device performances, such as a threshold voltage o...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 2011-10, Vol.32 (10), p.1376-1378
Hauptverfasser:	Kim, Ki-Won, Jung, Sung-Dal, Kim, Dong-Seok, Kang, Hee-Sung, Im, Ki-Sik, Oh, Jae-Joon, Ha, Jong-Bong, Shin, Jai-Kwang, Lee, Jung-Hee
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Aluminum Devices Drains Gallium nitrides Gates Leakage current MOSFETs Voltage
Online-Zugang:	Volltext
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