A random rule model of surface growth
Stochastic models of surface growth are usually based on randomly choosing a substrate site to perform iterative steps, as in the etching model, Mello et al. (2001) [5]. In this paper I modify the etching model to perform sequential, instead of random, substrate scan. The randomicity is introduced n...
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Veröffentlicht in: | Physica A 2015-02, Vol.419, p.762-767 |
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1. Verfasser: | |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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