High efficiency PERL cells on CZ P-type crystalline silicon using a thermally stable a-Si:H/SiNx rear surface passivation stack
For the purpose of manufacturing high efficiency p-type CZ crystalline silicon (c-Si) solar cells with conventional plated metallization and a passivated rear surface and local contacts, a thermally stable passivating system of plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) deposited a-Si:H/SiNx:...
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Veröffentlicht in: | Solar energy materials and solar cells 2013-10, Vol.117, p.41-47 |
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Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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