High efficiency PERL cells on CZ P-type crystalline silicon using a thermally stable a-Si:H/SiNx rear surface passivation stack

For the purpose of manufacturing high efficiency p-type CZ crystalline silicon (c-Si) solar cells with conventional plated metallization and a passivated rear surface and local contacts, a thermally stable passivating system of plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) deposited a-Si:H/SiNx:...

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Veröffentlicht in:Solar energy materials and solar cells 2013-10, Vol.117, p.41-47
Hauptverfasser: Li, Hua, Wenham, Stuart Ross, Shi, Zhengrong
Format: Artikel
Sprache:eng
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