A multicolor, broadband (5–20 μm), quaternary-capped InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector

An InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector with strong, multicolor, broadband (5–20 μm) photoresponse is reported. Using a combined quaternary In0.21Al0.21Ga0.58As and GaAs capping that relieves strain and maintains strong carrier confinement, we demonstrate a four color infrared response with...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters 2012-12, Vol.101 (26)
Hauptverfasser:	Adhikary, Sourav, Aytac, Yigit, Meesala, Srujan, Wolde, Seyoum, Unil Perera, A. G., Chakrabarti, Subhananda
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Broadband Gallium arsenide Gallium arsenides Indium arsenides Infrared Photodetectors Quantum dots Strain
Online-Zugang:	Volltext
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