Optimization of a Cu CMP process modeling parameters of nanometer integrated circuits

A copper chemical mechanical polishing (Cu CMP) process is reviewed and analyzed from the view of chemical physics. Three steps Cu CMP process modeling is set up based on the actual process of manufacturing and pattern-density-step-height (PDSH) modeling from MIT. To catch the pattern dependency, a...

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Veröffentlicht in:Journal of semiconductors 2012-08, Vol.33 (8), p.127-134
1. Verfasser: 阮文彪 陈岚 马天宇 方晶晶 张贺 叶甜春
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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